Samsung Electronics presentó una amplia gama de soluciones de memoria para automóviles de vanguardia, diseñadas para vehículos eléctricos autónomos de próxima generación.
El líder mundial en tecnología de memoria avanzada dio a conocer la nueva línea que incluye un SSD PCIe Gen3 NVMe de 256 gigabytes (GB) de matriz de rejilla de bola (BGA), DRAM GDDR6 de 2 GB y DRAM DDR4 de 2 GB para sistemas de información y entretenimiento de alto rendimiento, así como DRAM GDDR6 de 2 GB y almacenamiento flash universal (UFS) de 128 GB para sistemas de conducción autónomos.
Jinman Han, vicepresidente ejecutivo y director de Marketing y Ventas Globales de Memoria en Samsung Electronics, manifestó que con la reciente proliferación de vehículos eléctricos y el rápido avance de los sistemas de información y entretenimiento y conducción autónoma, la plataforma automotriz de semiconductores se enfrenta a un cambio de paradigma. Lo que solía ser un ciclo de reemplazo de siete a ocho años ahora se está comprimiendo en un ciclo de tres a cuatro años.
“Al mismo tiempo, los requisitos de rendimiento y capacidad están avanzando a niveles que se encuentran comúnmente en los servidores. La línea reforzada de soluciones de memoria de Samsung actuará como un catalizador importante para acelerar aún más el cambio hacia la era del 'Servidor sobre ruedas'", aseguró.
Las funciones avanzadas en los sistemas de información y entretenimiento, como mapas de alta definición, transmisión de video y juegos en 3D, junto con el uso cada vez mayor de sistemas de conducción autónoma, han impulsado la demanda de SSD de alta capacidad y alto rendimiento y DRAM de gráficos en toda la industria automotriz.
En 2017, Samsung fue el primero en la industria en introducir soluciones UFS para aplicaciones automotrices. Hoy, la compañía está bien posicionada para proporcionar una solución de memoria total con el nuevo SSD automotriz y DRAM GDDR6.
El controlador y el firmware de SSD BGA de 256 GB se desarrollan internamente para un rendimiento optimizado, ofreciendo una velocidad de lectura secuencial de 2,100 megabytes por segundo (MB / s) y una velocidad de escritura secuencial de 300 MB / s, que son siete y dos veces más rápidas que las actuales eMMC, respectivamente.
Además, la DRAM GDDR6 de 2GB presenta una velocidad de datos de hasta 14 gigabit por segundo (Gbps) por pin. Estas velocidades y ancho de banda excepcionales admitirán el procesamiento complejo de diversas aplicaciones multimedia, así como grandes cantidades de datos de conducción autónoma, contribuyendo a una experiencia de conducción más segura, dinámica y cómoda.
Asimismo, las nuevas soluciones automotrices de Samsung cumplen con la calificación AEC-Q100, el estándar mundial de confiabilidad automotriz, lo que les permite operar de manera estable en temperaturas extremas que van desde -40 ° C a + 105 ° C, que es un requisito especialmente crucial para los semiconductores automotrices.
Recientemente, ha aumentado el despliegue de sensores en vehículos autónomos para monitorear el entorno inmediato, y el procesamiento de alta velocidad para interpretar y predecir estos datos para una conducción más segura se está volviendo de vital importancia.
Al introducir soluciones de memoria automotriz previamente defendidas en servidores y aceleradores de inteligencia artificial, Samsung está ayudando a allanar el camino para una conducción autónoma más segura.
