Con el objetivo de ser líder en tecnología de chips de última generación, Samsung Electronics inició la construcción de su planta de investigación y desarrollo de semiconductores en Corea del Sur.
El complejo cuenta con un área que cubre aproximadamente 109,000 metros cuadrados dentro de su campus de Giheung. La nueva instalación liderará la investigación avanzada sobre dispositivos y procesos de próxima generación para semiconductores de memoria y sistemas, así como el desarrollo de nuevas tecnologías innovadoras basadas en una hoja de ruta a largo plazo.
El presidente y director ejecutivo en la División de Soluciones de Dispositivos, Kye Hyun Kyung, manifestó que la planta se convertirá en un centro de innovación donde los mejores talentos de investigación de todo el mundo pueden crecer.
Con el establecimiento de la nueva instalación de I+D, Samsung Electronics busca superar los límites del escalado de semiconductores y solidificar su ventaja competitiva en tecnología de semiconductores.
El Campus Giheung de Samsung Electronics, ubicado al sur de Seúl, cerca del campus Hwaseong de la División de Soluciones de Dispositivos, es el lugar de nacimiento de la primera DRAM de 64 Mb del mundo en 1992.
También se espera que la fábrica, junto con la línea de I+D de Hwaseong y el complejo de producción de semiconductores más grande del mundo en Pyeongtaek, eleve la sinergia entre los tres principales complejos de semiconductores de Samsung en el área metropolitana.
